_LM_
19.10.2025, 17:31
https://cdn.3dnews.ru/assets/external/illustrations/2025/10/19/1131048/samsung_01.jpg (https://cdn.3dnews.ru/assets/external/illustrations/2025/10/19/1131048/samsung_01.jpg)
Память типа HBM4E считается седьмым поколением соответствующей технологии, подразумевающей формирование стека из нескольких ярусов DRAM. В 2027 году Samsung Electronics намеревается наладить массовое производство HBM4E, обеспечив с её помощью увеличение скорости передачи информации в два с половиной раза относительно нынешней HBM3E. Источник изображения: Samsung Electronics
Дальше... (https://mogilew.by/varied/249656-samsung-rasschityvaet-obespechit-skorost-peredachi-informacii-s-pomoschyu-hbm4e-do-13-gbit-s.html)
Память типа HBM4E считается седьмым поколением соответствующей технологии, подразумевающей формирование стека из нескольких ярусов DRAM. В 2027 году Samsung Electronics намеревается наладить массовое производство HBM4E, обеспечив с её помощью увеличение скорости передачи информации в два с половиной раза относительно нынешней HBM3E. Источник изображения: Samsung Electronics
Дальше... (https://mogilew.by/varied/249656-samsung-rasschityvaet-obespechit-skorost-peredachi-informacii-s-pomoschyu-hbm4e-do-13-gbit-s.html)