Представлена многослойная оперативная память 3D X-DRAM, которая может перевернуть рынок, но вряд ли
 

[CENTER][URL="https://3dnews.ru/assets/external/illustrations/2023/05/04/1086162/3dx-2_800.png"][IMG]https://3dnews.ru/assets/external/illustrations/2023/05/04/1086162/3dx-2_800.png[/IMG][/URL][/CENTER]
Американская компания NEO Semiconductor объявила о завершении разработки и получении патентов на первую в мире многослойную оперативную память DRAM, созданную по аналогии с 3D NAND. Заявлено, что переход на «трёхмерный» тип оперативной памяти только за ближайшие 10 лет в восемь раз увеличит плотность и ёмкость чипов DRAM. Это кратно подстегнёт развитие платформ искусственного интеллекта и вычислений в целом, если технологию поддержат производители.
#производствомикросхем #dram

[url=https://mogilew.by/varied/225124-predstavlena-mnogosloynaya-operativnaya-pamyat-3d-x-dram-kotoraya-mozhet-perevernut-rynok-no-vryad-li-eto-sdelaet.html]Дальше...[/url]