3D X-DRAM впервые воплотили в кремнии — оперативная память будущего стала ближе
 

[CENTER][URL="https://cdn.3dnews.ru/assets/external/illustrations/2026/04/23/1140565/neo_01.jpg"][IMG]https://cdn.3dnews.ru/assets/external/illustrations/2026/04/23/1140565/neo_01.jpg[/IMG][/URL][/CENTER]
Стековое размещение ячеек оперативной памяти могло бы значительно повысить плотность хранения данных и решить проблему дефицита ОЗУ. Первый шаг в этом направлении сделала память HBM, но это оказалось недёшево и не для всех. Прорыв мог бы произойти только в том случае, если бы память DRAM пошла по пути производства памяти 3D NAND. Пока этого не произошло, но первый прототип такого решения уже воплощён в кремнии и привлёк внимание именитых инвесторов.
#3dnand #dram #производствомикросхем #neosemiconductor

[url=https://mogilew.by/varied/254880-3d-x-dram-vpervye-voplotili-v-kremnii-operativnaya-pamyat-buduschego-stala-blizhe.html]Дальше...[/url]