SK hynix разработала самую быструю память в мире — HBM3E со скоростью*1,15 Тбайт/с

[_LM_]

SK hynix объявила о том, что разработала память HBM3E — высокоскоростную оперативную память (DRAM) следующего поколения для высокопроизводительных вычислений и в частности для сферы ИИ. Эта память, по утверждению компании, является самой производительной в мире и в настоящее время проходит проверки и тесты у клиентов SK hynix. Источник изображений: news.skhynix.com

Дальше...